缓存英文(ROM中文什么意思)

缓存英文，ROM中文什么意思？

RAM是由英文Random Access Memory的首字母构成的，意为随机存储器，即在正常工作状态下可以往存储器中随时读写数据。根据存储单元工作原理的不同，RAM又可分为静态存储器（SRAM）和动态存储器(DRAM)。RAM的特点：可读可写；给存储器断电后，里面存储的数据会丢失。我们经常说的内存，比如计算机的内存，手机的内存，包括CPU里用的高速缓存，都属于RAM这类存储器。 ROM是由英文Read only Memory的首字母构成的，意为只读存储器。顾名思意，就是这样的存储器只能读，不能像RAM一样可以随时读和写。

它只允许在生产出来之后有一次写的机会，数据一旦写入则不可更改。

它另外一个特点是存储器掉电后里面的数据不丢失，可以存放成百上千年。

此类存储器多用来存放固件，比如计算机启动的引导程序，手机、MP3、MP4、数码相机等一些电子产品的相应的程序代码。

Ee是什么意思？

Pentium EE系列都采用三位数字的方式来标注，形式是Pentium EE 8xx或9xx，例如Pentium EE 840等等，数字越大就表示规格越高或支持的特性越多。

Pentium EE 8x0：表示这是Smithfield核心、每核心1MB二级缓存、800MHz FSB的产品，其与Pentium D 8x0系列的唯一区别仅仅只是增加了对超线程技术的支持，除此之外其它的技术特性和参数都完全相同。

Pentium EE 9x5：表示这是Presler核心、每核心2MB二级缓存、1066MHz FSB的产品，其与Pentium D 9x0系列的区别只是增加了对超线程技术的支持以及将前端总线提高到1066MHz FSB，除此之外其它的技术特性和参数都完全相同。

显卡的三重缓冲是干什么的？

三重缓冲 是一种图象处理技术

英文名Triple Buffering，是一种图象处理技术。

Triple Buffering使用一个前置缓存和两个后置缓存。在着色完第一个后置缓冲区的数据后，立即开始处理第二个后置缓冲区

这就是说，可以在打开垂直同步的同时保持应有的帧速了。ATi和nVidia的驱动中都有打开三重缓冲（triple buffering）的选项。可惜这只能起到一半的作用，因为驱动中的3重缓冲选项只对OpenGL游戏起作用

mfi缓冲液是什么？

缓冲溶液（英文：buffer solution）是一种能在加入少量酸或碱和水时大大降低pH变动幅度的溶液。缓冲体系由

1、弱酸和它的盐（如HAc---NaAc）

2、弱碱和它的盐（NH3.H2O---NH4Cl）

3、多元弱酸的酸式盐及其对应的次级盐（如NaH2PO4---Na2HPO4） 的水溶液组成。pH缓冲系统对维持生物的正常pH值和正常生理环境起到重要作用。多数细胞仅能在很窄的pH范围内进行活动，而且需要有缓冲体系来抵抗在代谢过程中出现的pH变化。在生物体中有三种主要的pH缓冲体系，它们是蛋白质缓冲系统、重碳酸盐缓冲系统以及磷酸盐缓冲系统。每种缓冲体系所占的分量在各类细胞和器官中是不同的

tae的化学组分和用途？

TAE缓冲液是由三羟甲基氨基甲烷(Tris base)、乙酸(acetic acid)和乙二胺四乙酸(EDTA)组成的缓冲液，英文名为三种组成成分的首字母。在分子生物学实验中常被用作DNA或RNA进行凝胶电泳时的缓冲液。缓冲液在电泳过程中的一个作用是维持合适的pH。电泳时正极与负极都会发生电解反应，正极发生的是氧化反应（4OH-4e=2H2O+O2)，负极发生的是还原反应（4H+4e=2H2)，长时间的电泳将使正极变酸，负极变碱。一个好的缓冲系统应有较强的缓冲能力，使溶液两极的pH保持基本不变。电泳缓冲液的另一个作用是使溶液具有一定的导电性，以利于DNA分子的迁移，例如，一般电泳缓冲液中应含有0.01-0.04mol/L的Na+离子，Na+离子的浓度太低时电泳速度变慢；太高时就会造成过大的电流使胶发热甚至熔化。电泳缓冲液还有一个组分是EDTA，加入浓度为1-2mmol/L，目的是螯合Mg2+ 等离子，防止电泳时激活 DNA酶，此外还可防止Mg2+离子与核酸生成沉淀。

基本信息

中文名TAE缓冲液别名TAE Buffer氧化反应（4OH--4e-=2H2O+O2)